Laser à semiconducteur en cavité externe bipolarisé et bifréquence pour les horloges atomiques

Jessica Barrientos-Barria (1) , Fabiola A. Camargo (1) , Sylvie Janicot (1) , Isabelle Sagnes (2) , Arnaud Garnache (3, 4) , Ghaya Baili (5) , Loïc Morvan (5) , Patrick Georges (1) , Gaëlle Lucas-Leclin (1)

1 Laboratoire Charles Fabry de l'Institut d'Optique / Elsa
2 LPN - Laboratoire de photonique et de nanostructures
3 IES - Institut d’Electronique et des Systèmes
4 TéHO - Térahertz, hyperfréquence et optique
5 Thales Research and Technology [Palaiseau]

Nous décrivons l'émission simultanée en phase sur deux fréquences optiques polarisées perpendiculairement d'un laser à semiconducteur en cavité externe pompé optiquement. L'émission est accordable autour de la raie D2 du césium à 852,14 nm. La puissance optique est d'environ 10 mW sur chaque polarisation.

Domains: Physics [physics]; Physics [physics]; Optics [physics.optics]; Engineering Sciences [physics]; Optics / Photonic

Jessica Barrientos-Barria, Fabiola A. Camargo, Sylvie Janicot, Isabelle Sagnes, Arnaud Garnache, et al.. Laser à semiconducteur en cavité externe bipolarisé et bifréquence pour les horloges atomiques. COLOQ, Jul 2011, Marseille, France. ⟨hal-00618007⟩