COLLECTION DE L'IES DANS L'ARCHIVE OUVERTE HAL

 

     

   

 

 

 

Les collaborations internationales de l'IES

 

 

Ce site dédié HAL-IES (abrité par HAL et géré à l'IES) est destiné à la consultation et au dépôt des publications scientifiques (de toutes natures : du Poster aux Articles Scientifiques en passant par les Brevets et Thèses et autres documents) de l'Institut d'Electronique et des Systèmes (UMR 5214 - CNRS et Université de Montpellier) et de ses anciennes dénominations (tout autant que ce soit possible et cohérent : EM2, CEM, CEM2, LAIN, LEM...).

Ce site, outre son aspect pratique pour consulter, rechercher et déposer permet d'accroître la visibilité de nos publications, de valoriser la production du laboratoire, d’assurer la pérennité des données déposées, de répondre aux exigences des tutelles et de la commission européenne dans le cadre de certains projets spécifiques.

 

CV PERSO

# Un unique lien dynamique basé sur un IDHal (voir documentation) du type (remplacez prenom et nom en fin d'URL) :

https://hal.archives-ouvertes.fr/IES/search/index/q/%2A/sort/producedDate_tdate+desc/authIdHal_s/prenom-nom/

permettra à nos auteurs de renvoyer vers leur production totale au cours du temps, triée par date de publication.

VOUS POUVEZ UTILISER CETTE URL (particularisée à vous) DANS VOS SIGNATURES et comme "Ma bibliographie IES dans HAL".

# Si votre carrière s'est faite aussi dans d'autres laboratoires et que vous avez un IdHal, le lien suivant qui dépasse notre collection sera plus exhaustif :

https://hal.archives-ouvertes.fr/search/index/q/%2A/sort/producedDate_tdate+desc/authIdHal_s/prenom-nom/

VOUS POUVEZ UTILISER CETTE URL (particularisée à vous) DANS VOS SIGNATURES et comme "Ma bibliographie dans HAL". 

 

 

Mots clés de nos dépôts

Gallium compounds Band structure Wood AP8-AP9 MODELS VALIDATION Semiconductor materials AFM Gallium antimonides Polarization Nanostructures Silver Molecular beam epitaxial growth Imaging CubeSat Sensors Ideal gas law Liquid phase epitaxy III V semiconductors Carrier density Antimoniures Quantum wells Cadmium compounds Particle beams Semiconductor epitaxial layers Energy gap SER MOSFET Thin films Atomic force microscopy Cross section Radiation Laser Proton Surface potential Semiconductor lasers Molecular beam epitaxy Gallium arsenide Electron device noise Elemental semiconductors Antimonides Neutron Single event upset SEU Aluminium compounds Growth mechanism Dynamics Diffusion model Atmospheric neutrons II VI semiconductors Particle detector Physical Sciences Sol-gel process Digital simulation Photodiodes III-V semiconductors Semiconductor Zinc oxide Optical properties Semiconductor growth Liquid phase epitaxial growth Protons Indium compounds Gallium nitrides Space charge Inorganic compounds Multiple cell upset MCU Radiofrequency sputtering Plasma waves GaSb Power electronics Simulation Indium antimonides SRAM Transition element compounds Soft Error Rate Honey Mechanical properties Semiconductors Optimization Neutrons Structural properties VECSEL Noise Viscoelasticity SEMICONDUCTORS Annealing Binary compounds Quantum cascade laser VCSEL Silicon Electrical conductivity Laser diodes Acoustic microscopy SEU 1/f noise Heavy ions Photoluminescence Experimental study Terahertz GROWTH Semiconductor thin films

    

 (Pour Formation et Information : Correspondant HAL, Gestionnaire du Site HAL-IES & des Collections IES et CEM2 : eric.dauverchain@ies.univ-montp2.fr)