Single-frequency optically pumped semiconductor vertical external cavity laser at 852nm for Cs atomic clock - Institut d'Optique Graduate School Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2011

Single-frequency optically pumped semiconductor vertical external cavity laser at 852nm for Cs atomic clock

Résumé

Using an extremely compact optically-pumped semiconductor vertical external-cavity surface-emitting laser we have demonstrated more than 100mW in single frequency operation at 852.1nm as a solution for Cs atom spectroscopy.
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2011_submCLEOEurope_LCFIO_VECSEL1.pdf (183.35 Ko) Télécharger le fichier
Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

hal-00579994 , version 1 (25-03-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00579994 , version 1

Citer

Fabiola A. Camargo, Isabelle Sagnes, Arnaud Garnache, Patrick Georges, Gaëlle Lucas-Leclin. Single-frequency optically pumped semiconductor vertical external cavity laser at 852nm for Cs atomic clock. CLEO Europe, May 2011, Munich, Germany. ⟨hal-00579994⟩
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