Enhanced absorption by nanostructured silicon - Institut d'Optique Graduate School Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2008

Enhanced absorption by nanostructured silicon

Résumé

Some applications such as ultrafast detectors or high efficiency photovoltaics require absorption by thin films. However, close to the bandgap, silicon absorbs very poorly. In this letter, we show that the absorption of a 100 nm slab can be as high as 50% in the range of wavelengths 700-830 nm when using a periodic structure properly designed.
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Dates et versions

hal-00574367 , version 1 (16-07-2013)

Identifiants

Citer

S. Bandiera, D. Jacob, T. Muller, François Marquier, Marine Laroche, et al.. Enhanced absorption by nanostructured silicon. Applied Physics Letters, 2008, 93 (19), pp.193103. ⟨10.1063/1.3021480⟩. ⟨hal-00574367⟩
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