First indirectly diode pumped Yb:SFAP laser, reaching the watt level at 985 nm - Groupe Lasers et Biophotonique Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2008

First indirectly diode pumped Yb:SFAP laser, reaching the watt level at 985 nm

Résumé

We present the first demonstration of the three-level-laser transition at 985 nm in an Yb:S-FAP crystal intracavity pumped at 914 nm. We obtained 940 mW output power at 985 nm for 20 W incident pump power at 808 nm.
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Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

hal-00584518 , version 1 (14-09-2022)

Licence

Paternité - Pas d'utilisation commerciale

Identifiants

Citer

Marc Castaing, François Balembois, Patrick Georges, Thierry Georges, Kathleen Schaffers, et al.. First indirectly diode pumped Yb:SFAP laser, reaching the watt level at 985 nm. Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO) 2008, May 2008, San José, United States. ⟨10.1109/CLEO.2008.4551405⟩. ⟨hal-00584518⟩
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