Photonic crystal laser lift-off GaN light-emitting diodes

Aurélien David 1, 2 Tetsuo Fujii 1 Brendan Moran 1 Shuji Nakamura 1 Steven P. Denbaars 1 Claude Weisbuch 1 Henri Benisty 2
1 Materials Department
2 Laboratoire Charles Fabry de l'Institut d'Optique / Naphel
LCFIO - Laboratoire Charles Fabry de l'Institut d'Optique
Abstract : We report on the fabrication and study of laser lift-off GaN-based light-emitting diodes, thinned down to the microcavity regime, incorporating two-dimensional photonic crystal diffraction gratings. Angle-resolved measurements reveal the photonic behavior of the devices, which strongly depends on the GaN thickness. Data point out the detrimental role of metal absorption. We explore theoretically the possibility to limit this loss channel.
Type de document :
Article dans une revue
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2006, 88 (13), pp.133514. 〈10.1063/1.2189159〉
Liste complète des métadonnées

Littérature citée [1 références]  Voir  Masquer  Télécharger
https://hal-iogs.archives-ouvertes.fr/hal-00869414
Contributeur : Fatima Pereira <>
Soumis le : jeudi 3 octobre 2013 - 11:32:54
Dernière modification le : jeudi 11 janvier 2018 - 06:26:12
Document(s) archivé(s) le : vendredi 7 avril 2017 - 05:33:21

Fichier

18b_00146.pdf
Fichiers éditeurs autorisés sur une archive ouverte

Identifiants

Collections

LCF_NAPHEL | LCFIO | IOGS | PARISTECH

Citation

Aurélien David, Tetsuo Fujii, Brendan Moran, Shuji Nakamura, Steven P. Denbaars, et al.. Photonic crystal laser lift-off GaN light-emitting diodes. Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2006, 88 (13), pp.133514. 〈10.1063/1.2189159〉. 〈hal-00869414〉

Exporter

BibTeX TEI DC DCterms EndNote

Partager

Métriques

Consultations de la notice

265

Téléchargements de fichiers

442

Contact

support.ccsd.cnrs.fr
hal.support@ccsd.cnrs.fr
Logo CCSD