Modelling and characterization of heteroepitaxially bonded InP-based structured on SoI for hybrid lasers

Type de document :
Communication dans un congrès
SPIE Optics + Optoelectronics, Apr 2013, Prague, Czech Republic
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Contributeur : Henri Benisty <>
Soumis le : mardi 3 septembre 2013 - 19:28:44
Dernière modification le : jeudi 11 janvier 2018 - 06:26:44

Identifiants

  • HAL Id : hal-00857674, version 1

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Citation

Chengxin Pang, Mondher Besbes, Anne Talneau, A. Itawi, Guang-Hua Duan, et al.. Modelling and characterization of heteroepitaxially bonded InP-based structured on SoI for hybrid lasers. SPIE Optics + Optoelectronics, Apr 2013, Prague, Czech Republic. 〈hal-00857674〉

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