Nanostructured silicon geometries for directly bonded hybrid III-V-silicon active devices

Chengxin Pang 1 Henri Benisty 1
1 Laboratoire Charles Fabry / Naphel
LCF - Laboratoire Charles Fabry
Type de document :
Article dans une revue
Photonics and Nanostructures - Fundamentals and Applications, Elsevier, 2013, 11 (2), pp.145-156. 〈10.1016/j.photonics.2012.12.003〉
Liste complète des métadonnées

https://hal-iogs.archives-ouvertes.fr/hal-00857655
Contributeur : Henri Benisty <>
Soumis le : mardi 3 septembre 2013 - 18:35:21
Dernière modification le : jeudi 11 janvier 2018 - 06:26:44

Identifiants

Collections

Citation

Chengxin Pang, Henri Benisty. Nanostructured silicon geometries for directly bonded hybrid III-V-silicon active devices. Photonics and Nanostructures - Fundamentals and Applications, Elsevier, 2013, 11 (2), pp.145-156. 〈10.1016/j.photonics.2012.12.003〉. 〈hal-00857655〉

Partager

Métriques

Consultations de la notice

132