GaN/InGaN light emitting diodes with embedded photonic crystal obtained by lateral epitaxial overgrowth

Aurélien David 1, 2 B. Moran 2 K. Mcgroddy 2 E. Matioli 2 E.L. Hu 2 S. Denbaars 2 S. Nakamura 2 Claude Weisbuch 2, 3
1 Laboratoire Charles Fabry de l'Institut d'Optique / Naphel
LCFIO - Laboratoire Charles Fabry de l'Institut d'Optique
2 Materials Department
3 LPMC - Laboratoire de physique de la matière condensée
Abstract : We introduce GaN/InGaN light emitting diodes with a dielectric photonic crystal embedded in the epitaxial layer by lateral epitaxial overgrowth on a patterned GaN template. Overgrowth, coalescence, and epitaxial growth of the pn junction within a thickness of 500 nm is obtained using metal-organic chemical vapor deposition. This design strongly modifies the distribution of guided modes, as confirmed by angle-resolved measurements. The regime of operation and potential efficiency of such structures are discussed.
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Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2008, 92 (11), pp.113514. 〈10.1063/1.2898513〉
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https://hal-iogs.archives-ouvertes.fr/hal-00818814
Contributeur : Henri Benisty <>
Soumis le : mardi 5 avril 2016 - 15:47:01
Dernière modification le : jeudi 10 mai 2018 - 01:59:26
Document(s) archivé(s) le : mercredi 6 juillet 2016 - 14:51:51

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Aurélien David, B. Moran, K. Mcgroddy, E. Matioli, E.L. Hu, et al.. GaN/InGaN light emitting diodes with embedded photonic crystal obtained by lateral epitaxial overgrowth. Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2008, 92 (11), pp.113514. 〈10.1063/1.2898513〉. 〈hal-00818814〉

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