Caractéristiques courant-tension de jonctions P-N fabriquées par traitement laser - Archive du Journal de Physique Access content directly
Journal Articles Revue de Physique Appliquée Year : 1985

Caractéristiques courant-tension de jonctions P-N fabriquées par traitement laser

Abstract

Le but de ce travail est d'analyser les caractéristiques courant-tension des jonctions P-N fabriquées dans du silicium au moyen d'impulsions laser brèves et de fortes puissances permettant de fondre superficiellement le silicium et de les comparer aux propriétés des diodes préparées par diffusion thermique classique. L'origine des modifications observées est attribuée d'une part à la création de défauts dans la zone de charge d'espace et à la surface des échantillons par l'impulsion laser, d'autre part à la constitution de solutions solides sursaturées, caractérisées par une densité très élevée de porteurs électriquement actifs.
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Dates and versions

jpa-00245318 , version 1 (04-02-2008)

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Cite

E. Fogarassy, A. Slaoui, P. Siffert. Caractéristiques courant-tension de jonctions P-N fabriquées par traitement laser. Revue de Physique Appliquée, 1985, 20 (3), pp.157-162. ⟨10.1051/rphysap:01985002003015700⟩. ⟨jpa-00245318⟩
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