Augmentation de la hauteur de barrière de diodes de Schottky au silicium : Application aux cellules solaires - Archive du Journal de Physique Access content directly
Journal Articles Journal de Physique Lettres Year : 1975

Augmentation de la hauteur de barrière de diodes de Schottky au silicium : Application aux cellules solaires

Abstract

Le rendement des cellules solaires au silicium réalisées par diode Schottky dépend essentiellement de la hauteur de la barrière de potentiel au contact métal-semiconducteur. On propose ici deux procédés permettant de porter cette barrière aux environs de 1 eV, soit par évaporation de hafnium sur du silicium P, soit par une implantation d'ions avant la formation d'une diode Schottky à l'or sur du silicium N.
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Origin : Explicit agreement for this submission

Dates and versions

jpa-00231175 , version 1 (04-02-2008)

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Cite

J.P. Ponpon, P. Siffert. Augmentation de la hauteur de barrière de diodes de Schottky au silicium : Application aux cellules solaires. Journal de Physique Lettres, 1975, 36 (5), pp.149-151. ⟨10.1051/jphyslet:01975003605014900⟩. ⟨jpa-00231175⟩
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