Laser à semiconducteur en cavité externe bipolarisé et bifréquence pour les horloges atomiques - Institut d'Optique Graduate School Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2011

Laser à semiconducteur en cavité externe bipolarisé et bifréquence pour les horloges atomiques

Résumé

Nous décrivons l'émission simultanée en phase sur deux fréquences optiques polarisées perpendiculairement d'un laser à semiconducteur en cavité externe pompé optiquement. L'émission est accordable autour de la raie D2 du césium à 852,14 nm. La puissance optique est d'environ 10 mW sur chaque polarisation.
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Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

hal-00618007 , version 1 (31-08-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00618007 , version 1

Citer

Jessica Barrientos-Barria, Fabiola A. Camargo, Sylvie Janicot, Isabelle Sagnes, Arnaud Garnache, et al.. Laser à semiconducteur en cavité externe bipolarisé et bifréquence pour les horloges atomiques. COLOQ, Jul 2011, Marseille, France. ⟨hal-00618007⟩
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